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Paragraf推出首款石墨烯霍尔效应传感器
发布时间:2021-03-18

导语:Paragraf是第一家在半导体晶圆上生长石墨烯的公司,为基于石墨烯的新型电子产品开辟了可能性。

Paragraf是第一家在半导体晶圆上生长石墨烯的公司,为基于石墨烯的新型电子产品开辟了可能性。

现在,该公司将"全球首款商用石墨烯霍尔效应传感器"推向市场。Paragraf推出全新石墨烯基霍尔效应传感器,可适用于电池应用,如电动汽车(EV)领域。                                             

石墨烯霍尔传感器GHS01AT

石墨烯霍尔传感器GHS01AT

Paragraf的新型石墨烯霍尔效应传感器(GHS),即GHS01AT,其性能就像非常昂贵的磁场传感器一样,但体积更小、价格更低、功率更低。此外,它还特别耐辐射、高频和高电压。

据介绍,石墨烯GHS01AT霍尔效应传感器经优化后可用于低场强和常温环境下。此外,它还可以将磁场测量分辨率提高到与复杂磁传感器的分辨率一样,并采用体积小且易于使用的霍尔传感器,从而可完成常规技术无法提供有效解决方案的监视任务。

石墨烯GHS01AT

新型GHS01AT霍尔效应传感器非常适合电池市场。在电池市场中,该传感器可为研究电池化学衍生物的有效性提供重要价值,并在开发过程形成影响因素。通过使用这些磁传感器,人们可以获得更详细及局部(点对点)的电池单元性能信息。

借助GHS01AT提供的性能参数,可得到详细的实时电流密度(局部电池内部电阻)图,即电池在重复充放循环中不同位置的所有变化。若出现热点,这些区域中的电池内阻的局部图可洞悉热点形成前的物理变化过程。

为实现质量管控,预警信号会在发出时被监控或扫描,而电流密度图可能会突出显示预警信号,甚至提供电池化学特性开发和概念设计所需的信息,防止潜在故障的发生或降低热逃逸风险。此外,该传感器还可用于测量流入和流出电池的电流,可作为测量实时磁场(电流)数据的间接方法,保障电池本身以及电池内部的极耳/母线在测试过程中不被破坏。

平面内杂散磁场通常会对其他传感器的准确性造成严重影响。但该GHS01AT采用石墨烯单层(厚度仅为0.34nm),可不受平面内杂散磁场的影响,且占用空间小,可获得高空间分辨率。

除传感器外,Paragraf还提供GHS阵列入门套件。该紧凑型板可使8个GHS01AT传感器同步测量。每个传感器都由1.5m串行接口电缆与探头连接,并配备Paragraf的可同时进行温度监测和磁测量数据温度校正的温度传感器。这种即插即用的硬件很容易集成到现有的数据采集系统中,将帮助制造商在开始阶段就可应用采用大量GHS01AT器件的大型测试设备。

Paragraf首席执行官Simon Thomas博士表示:“随着安全增加EV续航里程和缩短充电时间的需求不断增多,电池制造商们面临着开发更高性能产品的巨大压力。 未来,电池将变得更小、更轻,并具有更高的功率密度和更快的充电响应能力。为此,电池制造商们需要获得可分析的高级测试数据。而随着GHS01AT的推出,电池制造商们可拥有进行分析所必需的技术。”

Thomas博士还表示:“从磁场和空间分辨率两方面来看,GHS01AT性能均优于现有其他设备。这表示,电池制造商将首次可从电流密度角度汇编与产品内部结构有关的综合数据集。通过应用内置GHS01AT传感器的测试台,电池制造商将能延长所生产电池组的寿命并确保安全性。”

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